NEX DE VS X射線光譜儀是理學公司研發(fā)的高性能,可變小光斑EDXRF元素分析儀,用于固體、液體、粉末、合金和薄膜的元素分析。
理學公司研發(fā)的NEX DE VS能量色散X射線熒光元素分析儀具有集成攝像機和可變小光斑分析的特點,用于固體、液體、粉末、合金和薄膜的元素分析。
Rigaku理學NEX DE VS 是一款高性能小(可變)點臺式 EDXRF 元素分析儀,它使用基于 Windows? 的易學 QuantEZ 軟件,可提供廣泛的元素覆蓋范圍。可對幾乎任何基質(zhì)(從固體、薄膜和合金到粉末、液體、漿料和薄膜)進行從鈉 (Na) 到鈾 (U)的元素分析。
NEX DE VS 能量色散X射線熒光光譜儀以其分析能力、靈活性和易用性,廣泛運用在勘探、研究、RoHS 檢查和教育,以及工業(yè)和生產(chǎn)監(jiān)測應(yīng)用,是專門為重型工業(yè)應(yīng)用設(shè)計和加工,無論是在車間還是在遠程現(xiàn)場環(huán)境中的X射線熒光元素分析儀。
無論需要的是基本質(zhì)量控制 (QC) 還是更復(fù)雜的變化形式 — 例如分析質(zhì)量控制 (AQC)、質(zhì)量保證 (QA) 或六西格瑪之類的統(tǒng)計學過程控制 — 理學能量色散X射線熒光光譜儀都是常規(guī)元素分析的可靠選擇。
硅漂移探測器技術(shù)
硅漂移探測器 (SDD) 兼具極高的計數(shù)率功能以及出色的光譜分辨率。這使得 NEX DE VS 能夠在可達到的最短測量時間內(nèi)獲得精度最高的分析結(jié)果。SDD 獨有的工程特性是通過一系列環(huán)形電極產(chǎn)生的橫場,它可強制載荷子“漂移”到小集電極。新一代 SDD 探測器的場效應(yīng)晶體管 (FET) 從輻射軌跡中移出,代表著傳統(tǒng) EDXRF 探測器技術(shù)的發(fā)展水平。
X 射線管保護
僅在數(shù)據(jù)采集期間運行,從而最大限度地減少 X 射線管磨損和損耗
60 kV,12 W X 射線管
緊密耦合的銀陽極端窗 X 射線管。 低電壓下的高發(fā)射電流可獲得出色的光學元件性能。
數(shù)字數(shù)據(jù)輸出
利用 RS-232C 或TCP/IP 支持數(shù)據(jù)導(dǎo)出和 LIMS 兼容性。
免工具安全膜
更換保護光學內(nèi)核的安全膜時無需工具。
在 X 射線熒光 (XRF) 中,電子可在吸收 X 射線管發(fā)出的 X 射線(光子)后從其原子軌道射出。當內(nèi)層軌道電子射 出后(中圖),更高能量的電子轉(zhuǎn)移以填充該空位。在此躍遷過程中,可能會發(fā)射出特征光子,它是每種原子 類型獨有的能量。單位時間的特征光子數(shù)量(每秒計數(shù),cps)與樣品中的元素數(shù)量成正比。因此,確定樣品光譜中的 X 射線峰的能量并測量其相關(guān)計數(shù)率即可實現(xiàn)定性和定量元素分析。
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