5G、人工智能、智慧交通等消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,對(duì)芯片的性能提出更高的要求,加快了芯片制程升級(jí),從而帶動(dòng)了半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。半導(dǎo)體晶圓制造工藝包括擴(kuò)散,光刻,蝕刻,離子注入,薄膜生長(zhǎng),拋光,金屬化等環(huán)節(jié),需要用到各種特殊的液體,如顯影液,清洗液,拋光液等等,這些液體中表面活性劑的濃度對(duì)工藝質(zhì)量效果產(chǎn)生深刻的影響。
芯片制造技術(shù)的進(jìn)步驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體清洗技術(shù)快速發(fā)展。在單晶硅片制造中,光刻,刻蝕,沉積等工藝后均設(shè)置了清洗工藝,清洗工藝在芯片制造進(jìn)程中占比最大,隨著芯片技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷提升,對(duì)晶圓表面污染物的控制要求也越來(lái)越高。
為了滿(mǎn)足這些高的清潔度要求,清洗劑的濃度一定要保持在適當(dāng)?shù)臐舛确秶畠?nèi),成功的清潔工藝有兩個(gè)條件:
1. 為了達(dá)成所需的清潔效果,清洗劑的濃度需要在規(guī)定范圍內(nèi)。
2. 在最后的漂洗過(guò)程后,須避免表面活性劑在硅晶圓上殘留,殘留的表面活性劑對(duì)后面的處理工藝會(huì)造成不利影響。
為了達(dá)到精確和潔凈的工藝效果,需要高純度和高可靠的清洗劑,清洗的好壞直接影響下一道工序,甚至影響器件的成品率和可靠性,然而在清洗工藝過(guò)程中,工人往往忽略監(jiān)控清潔和漂洗工序中表面活性劑的濃度,表面活性劑經(jīng)常過(guò)量。為了消除表面活性劑過(guò)量帶來(lái)的不利影響,往往要費(fèi)時(shí)費(fèi)力地增加漂洗工序。
德國(guó)析塔SITA動(dòng)態(tài)表面張力儀可以輕松精準(zhǔn)測(cè)量清洗槽液中表面活性劑濃度,使用工人可以根據(jù)消耗量進(jìn)行適量添加,提高工業(yè)清洗的穩(wěn)定性。不僅如此,在最后的漂洗工序中,可以通過(guò)使用析塔SITA動(dòng)態(tài)表面張力儀對(duì)槽液中殘留的表面活性劑濃度進(jìn)行測(cè)量,預(yù)判晶圓清洗質(zhì)量。
半導(dǎo)體晶圓切割是半導(dǎo)體芯片制造工藝流程中的一道必不可少的工序,在對(duì)晶圓進(jìn)行切割時(shí),由于強(qiáng)機(jī)械力的作用,半導(dǎo)體晶圓邊沿容易出現(xiàn)微裂、崩邊;由于半導(dǎo)體晶圓表面應(yīng)力分布不均,容易導(dǎo)致在半導(dǎo)體晶圓制造中產(chǎn)生大量滑移錯(cuò)位,外延層錯(cuò),甚至破裂等問(wèn)題,因此需要選擇性能優(yōu)越的切割液避免晶圓切割出現(xiàn)問(wèn)題。晶圓切割液含有表面活性劑,合適的表面活性劑濃度能保證漿料在線(xiàn)鋸及晶圓表面的附著量。
在半導(dǎo)體晶圓CMP工藝中,利用機(jī)械力作用于晶圓片表面,同時(shí)研磨液中的化學(xué)物質(zhì)與晶圓片表面材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)來(lái)增加其研磨速率。為了讓研磨盤(pán)的潤(rùn)濕達(dá)到最優(yōu)狀態(tài),在研磨液中需要加入表面活性劑。
然而目前在晶圓切割和CMP工藝中,監(jiān)測(cè)切割液和研磨液表面活性劑濃度往往容易出現(xiàn)問(wèn)題,如果將樣品送到第三方實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行檢測(cè),成本高,且有一定時(shí)差,無(wú)法快速矯正表面活性劑濃度。德國(guó)析塔SITA動(dòng)態(tài)表面張力儀,可以快速簡(jiǎn)單測(cè)量切割液和研磨液動(dòng)態(tài)表面張力,量化數(shù)據(jù)呈現(xiàn)液體表面活性劑濃度,幫助工人迅速將實(shí)際值與期望值作比較,及時(shí)調(diào)整表面活性劑濃度。
半導(dǎo)體晶圓在光刻工藝中使用顯影劑溶解光刻膠,將光刻膠上的圖形精確復(fù)制到晶圓片上。四甲基氫氧化銨(TMAH)溶液是常用的顯影劑,人們往往在四甲基氫氧化銨(TMAH)溶液中添加表面活性劑,以降低表面張力,改善光刻工藝中光刻膠的粘附性,改善光刻顯影液對(duì)硅片涂膠面的潤(rùn)濕,使溶液更易親和晶圓表面,確保一個(gè)穩(wěn)定且不與表面幾何形狀相關(guān)的蝕刻過(guò)程。
使用德國(guó)SITA析塔可以實(shí)現(xiàn)快速連續(xù)監(jiān)控TMAH溶液表面張力,并在設(shè)定的范圍內(nèi)自動(dòng)比較數(shù)據(jù),使用工人可以在表面活性劑濃度超出限定值后,短時(shí)間迅速反應(yīng)采取相關(guān)措施。
在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)過(guò)程中,需要對(duì)晶圓進(jìn)行蝕刻工藝,將顯影后的簡(jiǎn)要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果,使用工人往往在蝕刻劑溶液中添加異丙醇IPA,以降低蝕刻劑溶液表面張力。
晶圓蝕刻工藝中容易存在的問(wèn)題是:蝕刻過(guò)程的對(duì)流會(huì)引起異丙醇的快速蒸發(fā),蝕刻劑表面張力增加,蝕刻工藝質(zhì)量下降,因此需要將蝕刻劑中異丙醇濃度控制在規(guī)定范圍內(nèi),然而靜態(tài)表面張力的測(cè)量方法如拉環(huán)法和吊片法無(wú)法實(shí)現(xiàn)在生產(chǎn)過(guò)程中動(dòng)監(jiān)測(cè)蝕刻劑溶液表面張力以得知異丙醇濃度。
德國(guó)析塔SITA動(dòng)態(tài)表面張力儀可以精確快速測(cè)量蝕刻劑溶液動(dòng)態(tài)表面張力,使用工人可以將測(cè)量值與實(shí)際所需值進(jìn)行對(duì)比,得出異丙醇濃度是否在規(guī)定范圍內(nèi),如超出限定值后,則可以在短時(shí)間內(nèi)快速采取相應(yīng)措施,達(dá)到高質(zhì)量的蝕刻工藝和避免異丙醇過(guò)量,節(jié)省成本。
德國(guó)析塔SITA動(dòng)態(tài)表面張力儀采用氣泡壓力法測(cè)量液體動(dòng)態(tài)及靜態(tài)表面張力,通過(guò)智能控制氣泡壽命,測(cè)出液體中表面活性劑分子遷移到界面過(guò)程中表面張力的變化過(guò)程,即連續(xù)的一系列動(dòng)態(tài)表面張力值以及靜態(tài)表面張力值。
德國(guó)析塔SITA動(dòng)態(tài)表面張力儀,共有4種型號(hào)。
指標(biāo)/型號(hào) | DynoTester+ | Pro Line t15 | science Line t100 | Clean Line ST |
簡(jiǎn)介 | 手持式/便攜式,快速簡(jiǎn)便的測(cè)量 | 生產(chǎn)過(guò)程中的連續(xù)測(cè)量 | 研發(fā)型/實(shí)驗(yàn)室型 | 集成式,與生產(chǎn)控制系統(tǒng)相連,使之自動(dòng)添加表面活性劑。 |
表面張力范圍 | 10-100 mN/m | 10-100 mN/m | 10-100 mN/m | 10-100 mN/m |
氣泡壽命范圍(ms) | 15-20000 | 15-20000 | 15-100000 | 15-15000 |
測(cè)試模式 | 單次模式 | 單次/連續(xù)測(cè)量/自動(dòng)測(cè)量模式 | 單次/連續(xù)測(cè)量/自動(dòng)測(cè)量模式 | 單次/連續(xù)測(cè)量/自動(dòng)測(cè)量模式 |
測(cè)量液體溫度 | (0-100)℃ | (0-100)℃ | (-20-125)℃ | (0-80)℃ |
尺寸(高X寬X長(zhǎng))mm | 168X75X35; | 168X75X35 | 主機(jī)200x140x60; 探頭200x35x90 | 480X480X170 |
重量 | 230g | 270g | 1870g | 23kg |
翁開(kāi)爾是德國(guó)析塔SITA中國(guó)指定代理,如需了解各種關(guān)于析塔表面張力儀信息以及應(yīng)用,歡迎致電13202947058咨詢(xún)。